檢測項(xiàng)目

表面粗糙度：評估晶片表面微觀平整度，參數(shù)包括算術(shù)平均粗糙度（Ra）、均方根粗糙度（Rq）、最大峰谷高度（Rmax）。

總厚度偏差：表征晶片整體厚度的均勻性，參數(shù)包括總厚度變化（TTV）、局部厚度變化（LTV）、彎曲度（Bow）。

翹曲度：測量晶片表面相對于參考平面的三維變形，參數(shù)包括翹曲度值（Warp）、彎曲度值（Bow）。

表面平整度：評估局部區(qū)域表面輪廓與理想平面的偏差，參數(shù)包括局部平整度（SFQR）、總指示讀數(shù)（TIR）。

納米形貌：檢測極小尺度下的表面起伏與周期性波紋，參數(shù)包括功率譜密度（PSD）、空間波長分析。

表面缺陷：識別與計(jì)量表面異常，參數(shù)包括微粒污染數(shù)量密度及尺寸分布、劃痕長度與深度、凹坑尺寸與深度、霧度等級。

金屬污染物濃度：量化表面殘留金屬元素含量，參數(shù)包括特定金屬（如Fe,Cu,Cr,Ni,Al,Zn,Na,K）面密度（單位：原子/cm）。

有機(jī)污染物濃度：測定表面吸附有機(jī)物總量，參數(shù)包括全碳含量（TOC）。

氧化層厚度：測量硅片表面原生二氧化硅層厚度，參數(shù)為光學(xué)或橢偏法測得的平均厚度值。

電阻率/導(dǎo)電類型：評估基體材料的電學(xué)特性，參數(shù)包括四探針法測量的平均電阻率值、導(dǎo)電類型（N型或P型）。

晶體質(zhì)量：分析晶體結(jié)構(gòu)完整性，參數(shù)包括位錯密度、氧化誘生層錯（OISF）密度。

幾何尺寸：確認(rèn)晶片外形規(guī)格，參數(shù)包括直徑公差、參考面長度與角度、邊緣輪廓尺寸。

檢測范圍

單晶硅拋光片：用于集成電路制造基底材料的拋光硅晶圓。

砷化鎵拋光片：用于射頻器件、光電器件等領(lǐng)域的化合物半導(dǎo)體晶圓。

磷化銦拋光片：應(yīng)用于高速通信、光電器件領(lǐng)域的III-V族化合物半導(dǎo)體基片。

碳化硅拋光片：用于高功率、高溫、高頻器件的寬禁帶半導(dǎo)體襯底。

藍(lán)寶石拋光片：用作LED、激光器等光電器件的絕緣襯底。

石英玻璃拋光片：用于光掩?；?、光學(xué)窗口等精密光學(xué)應(yīng)用。

鉭酸鋰/鈮酸鋰拋光片：用于聲表面波濾波器、光電調(diào)制器等壓電晶體基片。

氧化鎵拋光片：用于新一代功率半導(dǎo)體器件的超寬禁帶半導(dǎo)體材料。

氮化鋁拋光片：用于高導(dǎo)熱基板、紫外光電器件的陶瓷基片。

硅基絕緣體拋光片：具有埋氧層的特殊結(jié)構(gòu)硅片，用于低功耗、抗輻照集成電路。

應(yīng)變硅拋光片：通過引入應(yīng)力提升載流子遷移率的硅基材料。

外延片襯底拋光片：用于生長外延層前的超平坦基片。

檢測標(biāo)準(zhǔn)

依據(jù)SEMIMF534測量硅片翹曲度和彎曲度。

依據(jù)SEMIMF657采用電容法測量硅片厚度及總厚度變化。

依據(jù)ASTMF533標(biāo)準(zhǔn)測試硅片厚度及厚度變化。

依據(jù)SEMIMF1530使用非接觸掃描干涉法測量硅片表面平整度。

依據(jù)SEMIMF1811規(guī)范硅拋光片表面粗糙度的原子力顯微鏡測試方法。

依據(jù)SEMIM43規(guī)范硅片直徑及參考面尺寸。

依據(jù)SEMIMF1392采用表面掃描分析系統(tǒng)測量硅片表面納米形貌。

依據(jù)SEMIMF1549進(jìn)行硅片表面金屬污染物含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜分析。

依據(jù)GB/T30860測量拋光硅片表面顆粒污染物的激光散射法。

依據(jù)SEMIMF1726規(guī)范硅片表面有機(jī)污染物檢測的衰減全反射紅外光譜法。

依據(jù)SEMIMF1727規(guī)范硅片原生氧化層厚度的測量方法。

依據(jù)GB/T1550測定硅晶體材料的導(dǎo)電類型。

依據(jù)GB/T1551采用四探針法測量硅晶體的電阻率。

依據(jù)ISO14644-1評估潔凈環(huán)境中的空氣懸浮粒子濃度等級。

檢測儀器

光學(xué)輪廓儀：利用干涉原理非接觸測量表面形貌、粗糙度、臺階高度及納米尺度輪廓特征。

表面顆粒檢測儀：采用激光散射技術(shù)掃描并計(jì)數(shù)拋光晶片表面亞微米級微粒污染物。

四探針測試儀：通過四點(diǎn)接觸法測量半導(dǎo)體晶片的平均電阻率及電阻率均勻性。

電感耦合等離子體質(zhì)譜儀：定量分析拋光晶片表面痕量金屬雜質(zhì)元素的種類及濃度。

厚度測量系統(tǒng)：基于電容傳感或光譜反射原理非接觸測量晶片厚度及其厚度變化（TTV）。

原子力顯微鏡：在原子級分辨率下表征表面粗糙度、微觀形貌及特定缺陷的三維結(jié)構(gòu)。

電子束缺陷檢測系統(tǒng)：利用高能電子束掃描識別表面及近表面區(qū)域的微小缺陷和晶體缺陷。

橢偏儀：通過分析偏振光反射特性精確測量薄膜材料（如氧化層）的厚度與光學(xué)常數(shù)。

傅里葉變換紅外光譜儀：結(jié)合衰減全反射附件檢測晶片表面吸附有機(jī)污染物總量。

X射線衍射儀：評估晶片晶體取向、晶格常數(shù)、應(yīng)變狀態(tài)及晶體質(zhì)量（如位錯密度）。

檢測報(bào)告作用用作

銷售報(bào)告：出具正規(guī)第三方檢測報(bào)告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測工程師和先進(jìn)的測試設(shè)備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時間。

司法服務(wù)：協(xié)助相關(guān)部門檢測產(chǎn)品，進(jìn)行科研實(shí)驗(yàn)，為相關(guān)部門提供科學(xué)、公正、準(zhǔn)確的檢測數(shù)據(jù)。

大學(xué)論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標(biāo)：檢測周期短，同時所花費(fèi)的費(fèi)用較低。

準(zhǔn)確性較高;工業(yè)問題診斷：較短時間內(nèi)檢測出產(chǎn)品問題點(diǎn)，以達(dá)到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點(diǎn)，并結(jié)合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，選擇適當(dāng)?shù)臋z測項(xiàng)目和方法進(jìn)行分析測試，或根據(jù)您的要求進(jìn)行試驗(yàn)分析。為了不斷改進(jìn)我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測能力，并持續(xù)加強(qiáng)我們團(tuán)隊(duì)的科研技術(shù)。同時，我們將積極跟進(jìn)新的技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)，以最大程度地滿足您的需求和市場要求。