檢測項目

外延層厚度均勻性、電阻率分布偏差、表面顆粒密度、晶體缺陷密度、載流子濃度均勻性、位錯密度測量、層錯密度分析、霧度值測試、表面粗糙度Ra值、金屬污染濃度、氧碳含量測定、摻雜濃度剖面分布、應力分布測試、翹曲度測量、邊緣排除區(qū)寬度驗證、晶向偏離角測定、界面態(tài)密度分析、擊穿電壓特性測試、少子壽命測量、遷移率分布評估、反射率均勻性測試、熱穩(wěn)定性驗證、化學穩(wěn)定性分析、表面金屬殘留量檢測、界面過渡層厚度測量、晶體結(jié)構(gòu)完整性驗證、外延層生長速率一致性測試、表面氧化層厚度測定、邊緣崩邊缺陷統(tǒng)計、滑移線密度評估。

檢測范圍

N型磷摻雜硅外延片、P型硼摻雜硅外延片、重摻砷埋層外延片、SOI絕緣層上硅外延片、異質(zhì)結(jié)GaAs/Si外延片、超薄層(＜1μm)外延片、厚層(＞50μm)功率器件外延片、圖形化襯底外延片、藍寶石基氮化鎵外延片、碳化硅基外延片、鍺硅合金異質(zhì)結(jié)外延片、應變硅超晶格外延片、多晶硅薄膜外延結(jié)構(gòu)片、抗輻射加固型外延片、高壓IGBT用雙面外延片、MEMS傳感器專用外延片、太陽能電池絨面結(jié)構(gòu)外延片、深紫外LED用AlN/Si外延片、射頻器件高阻外延片、三維封裝TSV通孔外延片、量子點異質(zhì)結(jié)外延片、超結(jié)MOSFET多層外延結(jié)構(gòu)片、BiCMOS兼容雙極型外延片、抗反射涂層復合外延片。

檢測方法

四探針法通過線性排列探針測量薄層電阻率分布；傅里葉變換紅外光譜(FTIR)分析氧碳雜質(zhì)含量；X射線衍射(XRD)測定晶格常數(shù)與晶體取向；汞探針C-V法表征載流子濃度深度分布；掃描電子顯微鏡(SEM)觀測表面微觀形貌與缺陷；二次離子質(zhì)譜(SIMS)進行元素深度剖析；原子力顯微鏡(AFM)量化表面粗糙度參數(shù)；微波光電導衰減(μ-PCD)測量少子壽命；激光散射法統(tǒng)計表面顆粒密度；熱波法(ThermalWave)無損檢測晶體缺陷；橢圓偏振光譜儀分析薄膜厚度與光學常數(shù)；陰極熒光(CL)成像定位晶體缺陷位置；透射電子顯微鏡(TEM)解析界面原子結(jié)構(gòu)；激光干涉儀測量晶圓翹曲度；俄歇電子能譜(AES)檢測表面金屬污染。

檢測標準

ASTMF950-18《硅外延層厚度測試標準方法》、GB/T14844-2018《半導體材料雜質(zhì)含量測定通用規(guī)范》、IEC60749-27《半導體器件機械和氣候試驗方法第27部分：晶圓翹曲度測量》、JESD22-A120B《半導體器件可靠性試驗方法熱載流子注入測試》、SEMIMF397-1115《硅片中氧含量測定校準方法》、ISO14644-1《潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第1部分：空氣潔凈度等級劃分》、GB/T26068-2010《硅單晶中代位碳含量測定低溫傅里葉變換紅外光譜法》、ASTMF1526-00(2016)《用汞探針電容-電壓測量表征硅晶片的體載流子濃度》、SEMIMF1723-1109《原子力顯微鏡測量硅片表面粗糙度規(guī)程》、JISH0605-2013《硅晶體缺陷的X射線形貌檢測方法》。

檢測儀器

四探針電阻率測試儀配備自動晶圓傳輸系統(tǒng)實現(xiàn)全片面掃描測量；高分辨率X射線衍射儀配置多軸測角器進行三維晶體結(jié)構(gòu)分析；激光橢偏儀通過多波長干涉技術(shù)精確計算薄膜厚度與光學常數(shù)；二次離子質(zhì)譜儀采用雙束聚焦離子槍實現(xiàn)ppb級雜質(zhì)深度剖析；低溫傅里葉紅外光譜儀配備液氮冷卻MCT探測器提升信噪比；微波光電導衰減系統(tǒng)通過脈沖激光激發(fā)與微波探測評估少子壽命；全自動晶圓幾何參數(shù)測量儀集成激光位移傳感器與圖像處理模塊；原子力顯微鏡采用輕敲模式降低探針對樣品的損傷；掃描電子顯微鏡配置EDS能譜附件實現(xiàn)微區(qū)元素分析；汞探針CV測試系統(tǒng)通過精密壓力控制實現(xiàn)非破壞性電學表征。

檢測報告作用用作

銷售報告：出具正規(guī)第三方檢測報告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測工程師和先進的測試設備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時間。

司法服務：協(xié)助相關(guān)部門檢測產(chǎn)品，進行科研實驗，為相關(guān)部門提供科學、公正、準確的檢測數(shù)據(jù)。

大學論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標：檢測周期短，同時所花費的費用較低。

準確性較高;工業(yè)問題診斷：較短時間內(nèi)檢測出產(chǎn)品問題點，以達到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學技術(shù)研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點，并結(jié)合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標準，選擇適當?shù)臋z測項目和方法進行分析測試，或根據(jù)您的要求進行試驗分析。為了不斷改進我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測能力，并持續(xù)加強我們團隊的科研技術(shù)。同時，我們將積極跟進新的技術(shù)和標準，以最大程度地滿足您的需求和市場要求。