檢測項目

退相干時間測量：評估量子比特從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)的時間特性，檢測參數(shù)包括T1（能量弛豫時間）測量范圍1μs~100ms，分辨率1ns；T2（相位弛豫時間）測量范圍0.5μs~50ms，分辨率0.5ns。

噪聲譜分析：識別影響量子比特相干性的環(huán)境噪聲成分，檢測參數(shù)覆蓋頻率范圍1Hz~10GHz，本底噪聲≤-180dBm/Hz，頻率分辨率1Hz。

環(huán)境耦合參數(shù)測定：分析量子比特與外部環(huán)境的電磁、熱、機械耦合強度，檢測參數(shù)包括磁場耦合系數(shù)測量范圍1pT~1mT，精度±5%；熱耦合速率測量范圍0.1nW~10μW，誤差±3%。

量子態(tài)保真度檢測：量化量子比特在操作過程中保持初始態(tài)的能力，檢測參數(shù)包括單量子比特門保真度測量范圍95%~99.9%，統(tǒng)計誤差≤0.5%；雙量子比特門保真度測量范圍85%~99%，統(tǒng)計誤差≤1%。

相干性保持能力評估：測試量子比特在連續(xù)操作或存儲過程中的相干性衰減速率，檢測參數(shù)包括循環(huán)操作次數(shù)閾值（相干性下降至初始值90%時的次數(shù)）測量范圍100~10^6次，精度±1%；存儲時間穩(wěn)定性（24小時漂移率）≤0.1%/h。

多能級交叉耦合影響檢測：分析量子比特與其他能級或鄰近量子比特的串擾效應，檢測參數(shù)包括能級間隔分辨率1μeV~1meV，串擾耦合強度測量范圍0.1MHz~100MHz，誤差±2%。

溫度敏感性分析：研究量子比特相干性隨工作溫度的變化規(guī)律，檢測參數(shù)包括溫度測量范圍10mK~300K，精度±0.1mK；溫度系數(shù)（每變化1K相干時間變化率）測量范圍-1%/K~+0.5%/K，誤差±0.05%/K。

電磁場干擾強度監(jiān)測：量化外部電磁場對量子比特退相干的影響程度，檢測參數(shù)包括電場干擾強度測量范圍1mV/m~100V/m，分辨率0.1mV/m；磁場干擾強度測量范圍1nT~10mT，分辨率0.1nT。

材料界面損耗測定：評估量子比特芯片各層材料界面的能量損耗對相干性的影響，檢測參數(shù)包括界面反射率測量范圍0.1%~99%，精度±0.5%；界面損耗角正切值測量范圍10^-6~10^-2，分辨率10^-7。

量子門操作退相干影響測試：分析量子門操作過程中退相干對操作保真度的貢獻比例，檢測參數(shù)包括單門操作退相干占比測量范圍1%~30%，誤差±0.5%；雙門操作退相干占比測量范圍2%~50%，誤差±1%。

檢測范圍

超導量子比特芯片：基于鋁/氧化鋁約瑟夫森結(jié)的超導量子電路器件，用于量子比特制備與操控。

離子阱量子處理器：通過激光冷卻與囚禁離子實現(xiàn)量子比特的光學操控與檢測裝置。

拓撲量子比特器件：利用馬約拉納零能模實現(xiàn)拓撲保護的量子比特候選器件。

金剛石色心量子點：基于氮空位中心的金剛石量子比特，具備長相干時間特性。

硅基量子點器件：以硅為基底，通過摻雜或納米加工形成的半導體量子點量子比特。

微波控制電路模塊：用于生成與調(diào)制量子比特控制脈沖的低噪聲微波電子器件。

低溫封裝材料：在稀釋制冷機環(huán)境中使用的熱沉、導線及絕緣材料，需低熱泄漏與電磁屏蔽。

真空腔室組件：量子芯片運行的高真空環(huán)境容器，需低出氣率與機械穩(wěn)定性。

量子測控接口電路：連接量子芯片與控制系統(tǒng)的射頻/直流信號傳輸與轉(zhuǎn)換電路。

量子存儲介質(zhì)：用于存儲量子信息的物理系統(tǒng)，如稀土摻雜晶體或超導量子存儲器。

量子比特讀取裝置：通過熒光探測或電磁感應實現(xiàn)量子比特狀態(tài)讀取的光學/電子器件。

檢測標準

ISO 20387:2018生物樣本庫通用要求（適用于涉及生物量子比特接口的交叉檢測場景）。

ASTM F3079-16量子計算術語標準（規(guī)范退相干相關參數(shù)的定義與測量方法）。

GB/T 38091-2019量子計算術語和定義（明確國內(nèi)量子比特退相干檢測的基礎術語）。

IEEE Std 1801-2021低功耗電子設計互操作性標準（適用于低溫控制電路的噪聲抑制檢測）。

ISO 17025:2017檢測和校準實驗室能力的通用要求（實驗室能力驗證的技術依據(jù)）。

ASTM E2518-14低溫材料熱性能測試方法（用于低溫封裝材料的導熱系數(shù)與熱膨脹系數(shù)檢測）。

GB/T 13837-2012聲音和電視廣播接收機及有關設備無線電騷擾特性限值和測量方法（適用于電磁干擾強度檢測的參考依據(jù)）。

ISO 16128-1:2016天然化妝品原料的生態(tài)標簽指南（涉及環(huán)保型量子比特封裝材料的輔助參考）。

ASTM D257-14絕緣材料的直流電阻或電導測試方法（用于量子芯片電極材料的電阻率檢測）。

GB/T 4937-2018半導體器件分立器件和集成電路 第5-2部分：光電子器件 測試方法（適用于量子點器件的光學特性檢測）。

檢測儀器

稀釋制冷機系統(tǒng)：提供mK級極低溫環(huán)境，支持量子比特芯片在接近絕對零度下運行，配備溫度傳感器與溫控模塊，溫度穩(wěn)定性≤0.1mK。

高靈敏度微波接收機：工作頻率范圍1GHz~40GHz，噪聲系數(shù)≤0.5dB，用于捕獲量子比特的微波輻射信號，實現(xiàn)T2時間測量。

量子態(tài)層析成像系統(tǒng)：集成多通道射頻脈沖發(fā)生器與信號采集單元，可重構單量子比特及雙量子比特的密度矩陣，保真度測量誤差≤1%。

低溫噪聲分析儀：頻率范圍1Hz~100MHz，輸入噪聲密度≤1nV/√Hz，用于測量量子芯片控制線路的熱噪聲與散粒噪聲，噪聲系數(shù)分析精度±0.2dB。

矢量網(wǎng)絡分析儀：頻率范圍10MHz~50GHz，動態(tài)范圍≥120dB，用于表征量子比特與微波傳輸線的S參數(shù)，識別電磁耦合損耗。

鎖相放大器：頻率范圍1mHz~100MHz，輸入靈敏度≤1nV，用于提取微弱量子信號中的相干分量，相位分辨率≤0.1°。

超導量子干涉儀（SQUID）：磁通分辨率≤10^-18Wb，用于測量量子比特芯片周圍的極弱磁場，磁場均勻性檢測精度±0.1pT。

光電倍增管陣列：有效像素數(shù)≥1024×1024，量子效率≥40%@600nm，用于金剛石色心量子比特的熒光信號探測，計數(shù)率≥10^6 counts/s。

原子鐘頻率基準源：頻率穩(wěn)定度≤1×10^-14@1s，用于校準量子比特控制脈沖的頻率精度，時間同步誤差≤1ns。

多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)：采樣率≥2GS/s，分辨率≥16bit，支持同步采集微波信號、溫度信號與控制脈沖，數(shù)據(jù)存儲容量≥2TB。

檢測報告作用用作

銷售報告：出具正規(guī)第三方檢測報告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測工程師和先進的測試設備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時間。

司法服務：協(xié)助相關部門檢測產(chǎn)品，進行科研實驗，為相關部門提供科學、公正、準確的檢測數(shù)據(jù)。

大學論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標：檢測周期短，同時所花費的費用較低。

準確性較高;工業(yè)問題診斷：較短時間內(nèi)檢測出產(chǎn)品問題點，以達到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學技術研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點，并結(jié)合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標準，選擇適當?shù)臋z測項目和方法進行分析測試，或根據(jù)您的要求進行試驗分析。為了不斷改進我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測能力，并持續(xù)加強我們團隊的科研技術。同時，我們將積極跟進新的技術和標準，以最大程度地滿足您的需求和市場要求。