檢測(cè)項(xiàng)目

放電功率穩(wěn)定性、功率密度分布、射頻/微波頻率精度、阻抗匹配效率、電極間電壓/電流波形畸變率、等離子體電子溫度（Te）、等離子體離子密度（ni）、等離子體空間均勻性（徑向/軸向）、電子能量分布函數(shù)（EEDF）、氣體溫度（Tg）、工作氣體純度（O2/N2/Ar/CF4等）、氣體流量計(jì)精度與重復(fù)性、真空腔室極限真空度、工作壓力穩(wěn)定性、泄漏率（氦質(zhì)譜檢漏）、真空泵抽速曲線驗(yàn)證、電極表面溫升（紅外熱成像）、腔室壁面溫度分布、冷卻系統(tǒng)效率（流量/溫差）、電磁兼容性（輻射騷擾/傳導(dǎo)騷擾/諧波電流）、絕緣電阻（高壓部件）、接地連續(xù)性電阻、殘余氣體分析（RGA譜圖）、臭氧（O3）濃度實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)、氮氧化物（NOx）濃度實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)、顆粒物產(chǎn)生速率計(jì)數(shù)、光學(xué)發(fā)射光譜（OES）特征譜線強(qiáng)度穩(wěn)定性、朗繆爾探針I(yè)-V特性曲線掃描、質(zhì)譜儀離子流強(qiáng)度校準(zhǔn)結(jié)果偏差度

檢測(cè)范圍

電容耦合等離子體（CCP）刻蝕機(jī)、電感耦合等離子體（ICP）沉積設(shè)備、微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）系統(tǒng)、常壓等離子體射流處理裝置、磁控濺射鍍膜機(jī)（DC/RF）、電子回旋共振（ECR）等離子體源、螺旋波等離子體（HWP）發(fā)生器、介質(zhì)阻擋放電（DBD）臭氧發(fā)生器、等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）反應(yīng)腔室、等離子體灰化去膠機(jī)臺(tái)、等離子體清洗機(jī)（真空/大氣壓）、離子源中和器柵極組件測(cè)試平臺(tái)

檢測(cè)方法

采用高精度功率計(jì)配合定向耦合器實(shí)時(shí)采集正向/反射功率數(shù)據(jù)，計(jì)算電壓駐波比（VSWR）評(píng)估匹配網(wǎng)絡(luò)效能。

通過雙朗繆爾探針系統(tǒng)測(cè)量電子溫度與離子密度空間分布，結(jié)合探針理論模型修正鞘層效應(yīng)引入的誤差。

使用四極質(zhì)譜儀（QMS）進(jìn)行殘余氣體成分定量分析，采用標(biāo)準(zhǔn)漏孔校準(zhǔn)法測(cè)定腔室動(dòng)態(tài)泄漏率。

依據(jù)ISO14644-1標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行潔凈度測(cè)試，利用激光粒子計(jì)數(shù)器監(jiān)控工藝過程中顆粒物濃度變化趨勢(shì)。

采用傅里葉變換紅外光譜儀（FTIR）在線監(jiān)測(cè)尾氣中O3及NOx濃度，結(jié)合化學(xué)發(fā)光法進(jìn)行交叉驗(yàn)證。

通過高速示波器捕獲射頻電壓電流波形，計(jì)算相位差與諧波分量以評(píng)估電源輸出品質(zhì)因數(shù)。

應(yīng)用發(fā)射光譜診斷技術(shù)獲取Ar750.4nm/O777nm等特征譜線強(qiáng)度比，反演等離子體激發(fā)態(tài)粒子密度分布。

執(zhí)行熱成像掃描獲取電極表面溫度場(chǎng)數(shù)據(jù)，結(jié)合熱電偶嵌入式測(cè)溫驗(yàn)證熱管理系統(tǒng)的均溫性能。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

IEC60519-10:2013電熱裝置的安全要求第10部分：對(duì)工業(yè)和商業(yè)用電阻加熱裝置及感應(yīng)加熱裝置的特殊要求

SEMIF47-0706半導(dǎo)體設(shè)備電壓暫降抗擾度測(cè)試規(guī)范

ASTME595-07(2019)真空環(huán)境中材料總質(zhì)量損失與揮發(fā)物冷凝量測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法

ISO21360-1:2019真空技術(shù)真空泵性能測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)方法第1部分：體積流率測(cè)量

GB4793.1-2007測(cè)量控制和實(shí)驗(yàn)室用電氣設(shè)備的安全要求第1部分：通用要求

IEC61340-5-1:2016靜電學(xué)第5-1部分：電子器件靜電防護(hù)基本要求

ANSI/AAMIES60601-1:2005醫(yī)用電氣設(shè)備安全通用要求

SJ/T11699-2018等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備通用規(guī)范

GB/T13384-2008機(jī)電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件

ISO14644-3:2019潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第3部分：測(cè)試方法

EN61000-6-4:2019工業(yè)環(huán)境電磁兼容性通用發(fā)射標(biāo)準(zhǔn)

JISB8650:2019真空裝置泄漏試驗(yàn)方法

檢測(cè)儀器

寬帶射頻功率分析儀配備50Ω終端負(fù)載，可測(cè)量0.1-100MHz頻段內(nèi)峰值功率達(dá)10kW的復(fù)雜調(diào)制信號(hào)。

掃描式單探針與三探針診斷系統(tǒng)具備自動(dòng)偏壓掃描功能，通過計(jì)算機(jī)控制實(shí)現(xiàn)等離子體參數(shù)空間分辨測(cè)量。

高分辨率光柵光譜儀配合ICCD探測(cè)器實(shí)現(xiàn)200-800nm波段光譜采集，時(shí)間分辨率達(dá)5μs滿足瞬態(tài)過程觀測(cè)需求。

殘余氣體分析儀配置法拉第杯與電子倍增器雙探測(cè)器，質(zhì)量數(shù)范圍1-300amu，最小可檢分壓達(dá)510^-14mbar。

激光干涉顆粒計(jì)數(shù)器采用0.3μm靈敏度通道設(shè)計(jì)，符合ISO21501校準(zhǔn)規(guī)范實(shí)現(xiàn)潔凈度等級(jí)認(rèn)證測(cè)試。

多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)集成24位ADC轉(zhuǎn)換模塊，同步記錄32路熱電偶/壓力傳感器/流量計(jì)模擬信號(hào)。

紅外熱像儀配備長(zhǎng)波紅外鏡頭(7.5-14μm)，空間分辨率0.68mrad可精確捕捉電極微區(qū)溫度異常點(diǎn)。

矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀通過S參數(shù)測(cè)試驗(yàn)證射頻傳輸線阻抗匹配特性，頻率覆蓋范圍10MHz至6GHz。

靜電計(jì)配合高阻探頭實(shí)現(xiàn)nA級(jí)微弱電流測(cè)量，用于柵極漏電流及基片表面電位分布表征。

檢測(cè)報(bào)告作用用作

銷售報(bào)告：出具正規(guī)第三方檢測(cè)報(bào)告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測(cè)工程師和先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時(shí)間。

司法服務(wù)：協(xié)助相關(guān)部門檢測(cè)產(chǎn)品，進(jìn)行科研實(shí)驗(yàn)，為相關(guān)部門提供科學(xué)、公正、準(zhǔn)確的檢測(cè)數(shù)據(jù)。

大學(xué)論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標(biāo)：檢測(cè)周期短，同時(shí)所花費(fèi)的費(fèi)用較低。

準(zhǔn)確性較高;工業(yè)問題診斷：較短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)出產(chǎn)品問題點(diǎn)，以達(dá)到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點(diǎn)，并結(jié)合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，選擇適當(dāng)?shù)臋z測(cè)項(xiàng)目和方法進(jìn)行分析測(cè)試，或根據(jù)您的要求進(jìn)行試驗(yàn)分析。為了不斷改進(jìn)我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測(cè)能力，并持續(xù)加強(qiáng)我們團(tuán)隊(duì)的科研技術(shù)。同時(shí)，我們將積極跟進(jìn)新的技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)，以最大程度地滿足您的需求和市場(chǎng)要求。