檢測項目

痕量雜質(zhì)元素檢測主要針對材料中含量低于0.01%的微量成分進行定性定量分析。重點檢測項目包括：

重金屬元素：鉛(Pb)、鎘(Cd)、汞(Hg)、砷(As)等有毒有害元素

稀土元素：鑭(La)、鈰(Ce)、釹(Nd)等17種稀土元素的分布特征

貴金屬殘留：金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)等催化劑的殘留量測定

鹵族元素：氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)在電子材料中的痕量分析

過渡金屬：鐵(Fe)、鎳(Ni)、銅(Cu)在半導體晶圓中的污染監(jiān)控

檢測范圍

該技術(shù)適用于多領(lǐng)域材料的質(zhì)量控制：

半導體行業(yè)：硅晶圓表面金屬污染、光刻膠雜質(zhì)分析

制藥領(lǐng)域：原料藥中催化劑殘留、注射劑金屬浸出物檢測

冶金工業(yè)：高純金屬純度驗證、合金材料摻雜分析

環(huán)境監(jiān)測：土壤/水體中重金屬遷移形態(tài)研究

食品工業(yè)：包裝材料溶出物、添加劑微量元素測定

核工業(yè)：放射性材料伴生元素譜分析

檢測方法

主流分析方法根據(jù)檢出限要求進行選擇：

電感耦合等離子體質(zhì)譜法(ICP-MS)：適用于ppb級多元素同時測定，同位素比值分析精度達0.1%

原子吸收光譜法(AAS)：火焰法檢出限1-100ppm，石墨爐法可達0.1-10ppb

原子熒光光譜法(AFS)：對汞、砷等揮發(fā)性元素靈敏度達0.01μg/L

X射線熒光光譜(XRF)：無損快速篩查，檢出限約10-100ppm

輝光放電質(zhì)譜法(GD-MS)：固體樣品直接分析，檢出限達0.001ppm

中子活化分析(NAA)：非破壞性多元素分析，靈敏度達10^-9g/g

檢測儀器

關(guān)鍵設(shè)備配置需滿足不同基體樣品的分析需求：

高分辨扇形磁場質(zhì)譜儀：質(zhì)量分辨率＞10,000，用于同位素干擾分離

三重四極桿ICP-MS/MS：MS/MS模式消除多原子離子干擾

微波消解系統(tǒng)：密閉式高壓消解罐，支持硝酸/氫氟酸體系處理

激光剝蝕進樣裝置：空間分辨率＜10μm的固體直接進樣技術(shù)

超凈實驗室系統(tǒng)：Class100潔凈環(huán)境控制本底污染

在線富集裝置：螯合樹脂柱實現(xiàn)目標元素的100倍預濃縮

冷原子吸收測汞儀：配備金汞齊富集模塊，檢出限0.01ng/m

全反射X熒光儀(TXRF)：薄膜樣品亞單層檢測能力

各方法均需配套標準物質(zhì)進行校準驗證，NIST、GBW系列標準物質(zhì)的不確定度應＜5%。實驗室需建立空白對照體系，通過加標回收實驗控制過程誤差在15%范圍內(nèi)。針對復雜基體樣品需采用標準加入法或基體匹配法消除干擾效應。

檢測報告作用用作

銷售報告：出具正規(guī)第三方檢測報告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測工程師和先進的測試設(shè)備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時間。

司法服務：協(xié)助相關(guān)部門檢測產(chǎn)品，進行科研實驗，為相關(guān)部門提供科學、公正、準確的檢測數(shù)據(jù)。

大學論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標：檢測周期短，同時所花費的費用較低。

準確性較高;工業(yè)問題診斷：較短時間內(nèi)檢測出產(chǎn)品問題點，以達到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學技術(shù)研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點，并結(jié)合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標準，選擇適當?shù)臋z測項目和方法進行分析測試，或根據(jù)您的要求進行試驗分析。為了不斷改進我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測能力，并持續(xù)加強我們團隊的科研技術(shù)。同時，我們將積極跟進新的技術(shù)和標準，以最大程度地滿足您的需求和市場要求。