檢測項目

卡包異常檢測體系包含四大核心模塊：物理結(jié)構(gòu)完整性評估、電氣特性驗證、環(huán)境耐受性測試及電磁兼容性分析。物理檢測涵蓋表面劃痕深度測量（閾值≤0.1mm）、卡基翹曲度測定（允許偏差±0.3mm）及芯片封裝層剝離強度測試（標準值≥5N/mm2）。電氣性能模塊重點監(jiān)測接觸式芯片的導通阻抗（標準范圍1-5Ω）、非接觸式芯片的諧振頻率偏移（允許±0.5MHz）以及天線線圈的Q值衰減（閾值＞40）。環(huán)境測試包含溫度循環(huán)（-25℃至85℃/50次）、濕熱老化（85%RH/85℃/500h）及鹽霧腐蝕（5%NaCl/48h）三項加速試驗。電磁兼容性評估需完成ESD抗擾度測試（接觸放電±8kV）和RF場強輻射敏感度試驗（3V/m@1GHz）。

檢測范圍

本檢測規(guī)程適用于ISO/IEC 7810標準定義的ID-1型卡體（85.6×54×0.76mm）及其衍生規(guī)格產(chǎn)品。具體包含：

接觸式智能卡：符合ISO/IEC 7816規(guī)范的CPU卡、存儲器卡

雙界面卡：同時具備接觸式與非接觸式通信接口的復合型卡片

高頻射頻卡：工作頻率13.56MHz的Mifare系列產(chǎn)品

超高頻標簽：UHF頻段（860-960MHz）的RFID電子標簽

特種材質(zhì)卡基：PET-G、ABS、PC及生物降解材料制品

異常判定標準參照EMVCo 4.3版認證要求及JIS X6302-6:2018規(guī)范執(zhí)行，特別針對多芯片堆疊封裝（3D Package）產(chǎn)品需增加層間結(jié)合力測試。

檢測方法

采用分級遞進式檢測策略：

初篩階段使用白光干涉儀進行三維形貌重建（分辨率0.1μm），配合X射線透視系統(tǒng)（管電壓130kV）檢查內(nèi)部結(jié)構(gòu)完整性

電氣參數(shù)測試采用四線法測量接觸電阻（恒流源100mA），矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）測定天線阻抗匹配（Smith Chart分析）

環(huán)境應(yīng)力測試執(zhí)行IEC 60068-2系列標準：

溫度沖擊試驗：-40℃(30min)→RT(5min)→+85℃(30min)循環(huán)20次

混合氣體腐蝕：H2S 10±5ppm, SO2 25±5ppm, Cl2 10±5ppm @40℃/75%RH持續(xù)96h

信號完整性驗證使用協(xié)議分析儀捕獲APDU指令響應(yīng)時間（T=372~400CLK），誤碼率測試需達到BER≤10??@8dB信噪比

檢測儀器

所有計量設(shè)備均通過 校準認證，測量不確定度符合JJF 1059.1-2012規(guī)范要求。動態(tài)機械分析（DMA）需在氮氣保護環(huán)境下進行以防止氧化干擾。

檢測報告作用用作

銷售報告：出具正規(guī)第三方檢測報告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測工程師和先進的測試設(shè)備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時間。

司法服務(wù)：協(xié)助相關(guān)部門檢測產(chǎn)品，進行科研實驗，為相關(guān)部門提供科學、公正、準確的檢測數(shù)據(jù)。

大學論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標：檢測周期短，同時所花費的費用較低。

準確性較高;工業(yè)問題診斷：較短時間內(nèi)檢測出產(chǎn)品問題點，以達到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學技術(shù)研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點，并結(jié)合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標準，選擇適當?shù)臋z測項目和方法進行分析測試，或根據(jù)您的要求進行試驗分析。為了不斷改進我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測能力，并持續(xù)加強我們團隊的科研技術(shù)。同時，我們將積極跟進新的技術(shù)和標準，以最大程度地滿足您的需求和市場要求。