檢測項目

晶界取向差分布：分析多晶材料中相鄰晶粒之間的取向差頻率分布，檢測參數(shù)：取向差測量范圍0~60，統(tǒng)計精度0.5。

晶粒尺寸分布：測定晶粒的等效直徑或面積分布，檢測參數(shù)：晶粒尺寸測量范圍0.1μm~1000μm，統(tǒng)計誤差≤2%。

小角度晶界比例：計算取向差小于15的晶界占總晶界的比例，檢測參數(shù)：比例統(tǒng)計精度1%。

大角度晶界比例：計算取向差大于等于15的晶界占總晶界的比例，檢測參數(shù)：比例統(tǒng)計精度1%。

特殊晶界比例（如Σ3、Σ9）：分析符合coincidencesitelattice（CSL）模型的特殊晶界比例，檢測參數(shù)：Σ值識別范圍Σ3~Σ49，比例精度0.5%。

晶界平面取向分布：測定晶界平面的法向取向分布，檢測參數(shù)：平面法向分辨率1，分布統(tǒng)計bins數(shù)≥100。

晶粒織構強度：評估晶粒取向的集中程度，檢測參數(shù)：織構強度指數(shù)（如MUD值）測量范圍1~100，精度0.1。

晶界遷移率相關取向差：分析與晶界遷移率相關的取向差分布，檢測參數(shù)：取向差閾值設置范圍5~30，統(tǒng)計準確率≥95%。

多相材料晶界相分布：識別多相材料中不同相之間的晶界取向差，檢測參數(shù)：相識別精度≥98%，取向差測量范圍0~60。

變形材料晶界取向差演變：跟蹤變形過程中晶界取向差的變化，檢測參數(shù)：變形量范圍0%~50%，取向差變化率測量精度0.2/%變形量。

檢測范圍

鋼鐵材料：碳素鋼、合金鋼、不銹鋼等結構鋼及功能鋼。

鋁合金材料：變形鋁合金、鑄造鋁合金、鋁鋰合金等。

鈦合金材料：α鈦合金、β鈦合金、α+β鈦合金等。

鎂合金材料：鑄造鎂合金、變形鎂合金、鎂基復合材料等。

銅合金材料：純銅、黃銅、青銅、白銅等。

高溫合金材料：鎳基高溫合金、鈷基高溫合金、鐵基高溫合金等。

半導體材料：硅晶圓、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等。

陶瓷材料：結構陶瓷（如氧化鋁、氧化鋯）、功能陶瓷（如壓電陶瓷）等。

復合材料：纖維增強復合材料（如碳纖維/環(huán)氧樹脂）、顆粒增強復合材料（如鋁基碳化硅）等。

有色金屬材料：鋅合金、鉛合金、錫合金等。

檢測標準

ASTME2627-13(2018)：電子背散射衍射（EBSD）分析金屬材料的標準指南。

ISO13067:2011：金屬材料電子背散射衍射（EBSD）數(shù)據(jù)采集與分析的標準規(guī)程。

GB/T36550-2018：金屬材料電子背散射衍射（EBSD）分析方法。

ASTME1508-13(2018)：透射電子顯微鏡（TEM）分析金屬材料晶界取向的標準方法。

ISO25498:2018：金屬材料透射電子顯微鏡（TEM）晶界取向分析的標準規(guī)程。

GB/T20307-2006：透射電子顯微鏡（TEM）金屬材料顯微結構分析方法。

ASTME2801-11(2017)：多晶材料晶界取向分布統(tǒng)計的標準方法。

ISO17639:2015：金屬材料晶界特征分布（GBCD）分析的標準指南。

GB/T34205-2017：金屬材料晶界特征分布分析方法。

ASTME3059-16(2021)：電子背散射衍射（EBSD）用于晶界遷移研究的標準方法。

檢測儀器

電子背散射衍射（EBSD）系統(tǒng)：集成于掃描電子顯微鏡（SEM），用于采集晶界取向數(shù)據(jù)，參數(shù)：空間分辨率≤0.1μm，取向差精度0.5。

透射電子顯微鏡（TEM）：配備選區(qū)電子衍射（SAED）附件，用于高分辨率晶界取向分析，參數(shù)：點分辨率≤0.2nm，取向差測量范圍0~60。

電子背散射衍射（EBSD）探測器：用于SEM中的晶界取向數(shù)據(jù)采集，參數(shù)：探測效率≥90%，數(shù)據(jù)傳輸速率≥1000點/秒。

晶界取向分析軟件：用于處理EBSD或TEM數(shù)據(jù)，生成取向差分布、晶界類型統(tǒng)計等結果，參數(shù)：支持數(shù)據(jù)格式包括.h5、.ang，統(tǒng)計bins數(shù)≥100。

掃描電子顯微鏡（SEM）：配備EBSD系統(tǒng)，用于樣品表面成像及晶界取向數(shù)據(jù)采集，參數(shù)：放大倍數(shù)范圍10~1,000,000，加速電壓范圍0.5kV~30kV。

透射電子顯微鏡（TEM）樣品制備系統(tǒng)：包括聚焦離子束（FIB）顯微鏡，用于制備薄樣品，參數(shù)：樣品厚度控制精度5nm，離子束電流范圍1pA~1μA。

電子背散射衍射（EBSD）校準樣品：用于校準EBSD系統(tǒng)的取向精度，參數(shù)：標準樣品為單晶硅（100）面，取向誤差≤0.1。

晶界取向分布統(tǒng)計軟件：用于分析EBSD數(shù)據(jù)中的晶界取向差分布，參數(shù)：支持多相材料分析，統(tǒng)計方法包括直方圖、極圖等。

檢測報告作用用作

銷售報告：出具正規(guī)第三方檢測報告讓客戶更加信賴自己的產品質量，讓自己的產品更具有說服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測工程師和先進的測試設備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時間。

司法服務：協(xié)助相關部門檢測產品，進行科研實驗，為相關部門提供科學、公正、準確的檢測數(shù)據(jù)。

大學論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標：檢測周期短，同時所花費的費用較低。

準確性較高;工業(yè)問題診斷：較短時間內檢測出產品問題點，以達到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學技術研究所承諾：我們將根據(jù)不同產品類型的特點，并結合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標準，選擇適當?shù)臋z測項目和方法進行分析測試，或根據(jù)您的要求進行試驗分析。為了不斷改進我們的工作，我們致力于提高產品質控分析、使用性能檢測能力，并持續(xù)加強我們團隊的科研技術。同時，我們將積極跟進新的技術和標準，以最大程度地滿足您的需求和市場要求。