檢測項目

厚度均勻性、局部厚度偏差(TTV)、總厚度變化(LTV)、彎曲度(Bow)、翹曲度(Warp)、中心點厚度、邊緣排除區(qū)厚度、全局厚度分布圖、徑向厚度梯度、面內(nèi)厚度極差、指定區(qū)域平均厚度、厚度方向平整度(FPD)、納米級起伏度(Ra/Rq)、亞表面損傷層評估參考厚度、基準(zhǔn)面標(biāo)識區(qū)厚度差、切割線痕深度影響評估、研磨后殘留厚度不均性、拋光后亞表面畸變層表征參考厚度、外延前基片厚度一致性驗證點、外延后膜厚均勻性對比基準(zhǔn)值、減薄工藝后目標(biāo)厚度達(dá)成率驗證、背面金屬化層對總厚度貢獻(xiàn)量評估點、劃片槽結(jié)構(gòu)深度一致性參考點、器件有源區(qū)局部減薄量監(jiān)控點、封裝壓合區(qū)厚度容差關(guān)鍵點測量值

檢測范圍

4H-SiC單晶片(導(dǎo)電型/半絕緣型)、6H-SiC單晶片(導(dǎo)電型/半絕緣型)、N型摻雜SiC晶片(氮摻雜)、P型摻雜SiC晶片(鋁摻雜)、直徑100mm(4英寸)SiC拋光片、直徑150mm(6英寸)SiC拋光片、直徑200mm(8英寸)SiC襯底開發(fā)樣片、SiC切割片(線鋸/激光)、SiC研磨片(粗磨/精磨)、SiC化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)片(單面/雙面)、SiC外延用襯底片(EPI-ready)、SiC-on-SiC異質(zhì)外延結(jié)構(gòu)樣片、SiC功率器件背面減薄晶圓(ThinnedWafer)、溝槽柵MOSFET刻蝕深度監(jiān)控樣片(SiCTrench)、JBS二極管有源區(qū)減薄驗證樣片(SiCJBS)、肖特基勢壘二極管(SBD)外延層基準(zhǔn)樣片(SiCSBD)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)柵氧層下基片區(qū)樣片(SiCMOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)終端結(jié)構(gòu)區(qū)樣片(SiCIGBT)、HEMT器件溝道層參考樣片(SiCHEMT)、光電子器件用透明襯底樣片(OpticalSiC)、射頻器件用高阻襯底樣片(RFSiC)、量子器件微結(jié)構(gòu)承載襯底樣片(QuantumDeviceSubstrate)、MEMS傳感器壓力膜結(jié)構(gòu)襯底樣片(SiCMEMSDiaphragm)、高溫傳感器電極區(qū)襯底樣片(High-TSensorSubstrate)、核輻射探測器耗盡層厚度標(biāo)定樣片(RadiationDetectorSubstrate)

檢測方法

接觸式測厚法：采用高精度千分尺或電感測微儀進(jìn)行機(jī)械接觸測量。適用于離線抽樣檢驗，需控制探針壓力（通常≤0.1N）防止劃傷表面，測量點依據(jù)SEMIMF533標(biāo)準(zhǔn)定位。

非接觸激光干涉法：基于邁克爾遜干涉原理，利用激光束在晶片上下表面反射形成干涉條紋。通過條紋移動量計算厚度差（分辨率可達(dá)0.1μm），適用于TTV和Warp的高精度全場測量。

光譜反射法：通過分析入射寬譜光源在空氣-硅碳化物界面的反射光譜特征峰位偏移，結(jié)合材料折射率模型反演厚度值（精度0.5μm）。特別適用于透明/半透明襯底的快速掃描。

電容傳感法：利用晶片作為電介質(zhì)構(gòu)成平板電容器，電容值與極板間距（即厚度）成反比。需校準(zhǔn)介電常數(shù)溫度系數(shù)，適用于在線自動分選系統(tǒng)。

白光垂直掃描干涉術(shù)(VSI)：采用寬帶光源和壓電陶瓷垂直掃描物鏡，通過解析干涉包絡(luò)峰值位置確定表面高度差?？蓪崿F(xiàn)納米級縱向分辨率（0.1nm），用于微觀起伏度Ra/Rq分析。

X射線熒光測厚法(XRF)：激發(fā)樣品原子產(chǎn)生特征X射線，通過測量鍍膜層特征射線強(qiáng)度衰減計算覆蓋層厚度（如背面金屬化層）。需建立標(biāo)準(zhǔn)曲線進(jìn)行定量分析。

檢測標(biāo)準(zhǔn)

GB/T39145-2020碳化硅單晶拋光片幾何參數(shù)測試方法

SJ/T11956-2023寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅單晶拋光片規(guī)范

SEMIMF533-0318硅及化合物半導(dǎo)體晶片的厚度和總厚度變化測試方法

SEMIMF657-0718非接觸掃描測量硅片翹曲度的測試方法

ASTMF533-09(2020)硅晶片的厚度和厚度變化的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法

ASTMF657-98(2020)用非接觸掃描法測量硅晶圓翹曲度的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法

ISO1101:2017產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范(GPS)-幾何公差-形狀、方向、位置和跳動公差

ISO4287:1997產(chǎn)品幾何量技術(shù)規(guī)范(GPS)-表面結(jié)構(gòu)：輪廓法-術(shù)語、定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)

JISH0610:2021硅晶片的試驗方法

DINENISO25178-602:2019產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范(GPS)-表面結(jié)構(gòu)：區(qū)域法-第602部分：非接觸（共聚焦色差探針）儀器的標(biāo)稱特性

檢測儀器

自動激光測厚儀：集成多軸運(yùn)動平臺與激光位移傳感器（如KeyenceLK-G5000系列），可編程實現(xiàn)全自動多點掃描。典型配置雙探頭差分測量消除振動誤差，重復(fù)精度0.1μm，適用于產(chǎn)線TTV/LTV高速檢測。

CMM三坐標(biāo)測量機(jī)：配備高精度接觸式探頭（RenishawSP25）或光學(xué)探頭（ZeissVASTXTRGold）。依據(jù)ISO10360進(jìn)行空間精度校準(zhǔn)（MPEE≤1.5+L/300μm），用于Bow/Warp的絕對尺寸溯源測量。

白光干涉輪廓儀：采用Mirau或Michelson干涉物鏡組（BrukerContourGT-K系列），垂直分辨率0.1nm。結(jié)合相移干涉術(shù)(PSI)實現(xiàn)納米級表面形貌重建，專用于局部微觀起伏度與亞表面損傷評估。

在線電容測厚系統(tǒng)：基于平板電容原理設(shè)計多通道傳感器陣列（MTIInstrumentsProforma系列），集成自動上下料機(jī)械手。測量頻率≥120wph，實時反饋控制研磨設(shè)備Z軸壓力分布。

X射線熒光鍍層測厚儀：配置多毛細(xì)管聚焦光學(xué)系統(tǒng)（FischerXDV-μ），微區(qū)分析光斑≤30μm。支持Ti/Ni/Au多層膜同時測量（精度3%），用于背面金屬化工藝監(jiān)控。

光譜橢偏儀：采用旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器架構(gòu)（J.A.WoollamM-2000UI），光譜范圍190-1700nm。通過擬合Ψ/Δ參數(shù)解析膜層光學(xué)常數(shù)與厚度（精度0.1nm），適用于超薄外延層表征。

檢測報告作用用作

銷售報告：出具正規(guī)第三方檢測報告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測工程師和先進(jìn)的測試設(shè)備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時間。

司法服務(wù)：協(xié)助相關(guān)部門檢測產(chǎn)品，進(jìn)行科研實驗，為相關(guān)部門提供科學(xué)、公正、準(zhǔn)確的檢測數(shù)據(jù)。

大學(xué)論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標(biāo)：檢測周期短，同時所花費的費用較低。

準(zhǔn)確性較高;工業(yè)問題診斷：較短時間內(nèi)檢測出產(chǎn)品問題點，以達(dá)到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點，并結(jié)合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，選擇適當(dāng)?shù)臋z測項目和方法進(jìn)行分析測試，或根據(jù)您的要求進(jìn)行試驗分析。為了不斷改進(jìn)我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測能力，并持續(xù)加強(qiáng)我們團(tuán)隊的科研技術(shù)。同時，我們將積極跟進(jìn)新的技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)，以最大程度地滿足您的需求和市場要求。