檢測項目

表面算術(shù)平均粗糙度（Sa）：評價輪廓偏離中心線絕對值的算術(shù)平均，典型測量范圍0.1nm~100μm，分辨率優(yōu)于0.05nm。

表面均方根粗糙度（Sq）：輪廓偏離均方根值，對峰谷變化更敏感，測量范圍0.2nm~50μm，精度±5%。

最大峰谷高度（Sz）：評估表面最高峰與最低谷的垂直距離，量程1nm~10μm，重復(fù)性偏差<3%。

十點高度粗糙度（S10z）：選取五個最高峰與五個最低谷的差值均值，適用于工程表面，量程5nm~20μm。

輪廓算術(shù)平均偏差（Ra）：二維輪廓線粗糙度基準(zhǔn)參數(shù)，掃描長度10μm~1mm，橫向分辨率0.1nm。

表面偏斜度（Ssk）：表征高度分布對稱性，正值表示尖峰結(jié)構(gòu)，量程-5~5，檢測誤差±0.1。

表面陡度（Sku）：描述高度分布尖銳程度，量程1~20，高斯表面理論值為3。

自相關(guān)長度（Sal）：表面特征周期性評價指標(biāo)，測量范圍10nm~100μm，掃描面積需大于5倍Sal。

表面承載率（Smr）：特定截面深度下材料體積占比，分析耐磨性關(guān)鍵參數(shù)，計算深度分辨率1nm。

功率譜密度（PSD）：空間頻率分布函數(shù)，頻率范圍1×10?3~103μm?1，動態(tài)范圍120dB。

分形維數(shù)（Sfd）：表征表面復(fù)雜度，計算維度1.0~2.0，采用盒計數(shù)法誤差±0.05。

檢測范圍

半導(dǎo)體晶圓與光掩模：監(jiān)控CMP拋光后表面均一性，檢測區(qū)域80×80μm2，缺陷識別尺寸>20nm。

光學(xué)薄膜與鏡片：評估鍍膜層表面散射特性，曲率適應(yīng)范圍±45°，掃描速度0.5Hz~2kHz。

生物醫(yī)用植入體：鈦合金/陶瓷表面微孔結(jié)構(gòu)表征，液相環(huán)境兼容性，溫度控制25±0.5℃。

納米涂層材料：DLC/石墨烯涂層厚度與致密度分析，縱向分辨率0.01nm，力控范圍0.1~100nN。

MEMS微機電器件：懸臂梁/齒輪結(jié)構(gòu)三維形貌重建，最大臺階高度20μm，側(cè)壁角度測量精度1°。

磁性存儲介質(zhì)：硬盤盤面紋理與飛高控制，振動隔離要求0.1nm RMS，磁頭掃描定位精度±5nm。

高分子聚合物：注塑件表面流痕分析，熱漂移補償0.3nm/min，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度下形變監(jiān)測。

金屬增材制造件：SLM成型件熔池輪廓測量，最大樣品尺寸100×100×20mm，粗糙度重復(fù)性RSD<5%。

光伏電池材料：多晶硅絨面結(jié)構(gòu)優(yōu)化，反射率關(guān)聯(lián)分析，掃描點密度512×512像素。

納米壓印模板：NIL模板特征保真度驗證，線寬測量精度±0.5nm，側(cè)壁粗糙度專項檢測。

檢測標(biāo)準(zhǔn)

ISO 25178-2:2022幾何產(chǎn)品技術(shù)規(guī)范(GPS)-表面紋理：區(qū)域法（定義表面粗糙度核心參數(shù)體系）

ASME B46.1-2019表面紋理標(biāo)準(zhǔn)（規(guī)定Ra/Rz等參數(shù)計算方法及儀器校準(zhǔn)要求）

GB/T 3505-2020產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范(GPS) 表面結(jié)構(gòu) 輪廓法 術(shù)語、定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)（中國國家基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)）

ASTM E2530-17原子力顯微鏡圖像分析標(biāo)準(zhǔn)指南（規(guī)范圖像校準(zhǔn)與偽影消除流程）

ISO 4287:1997幾何產(chǎn)品規(guī)范(GPS)-表面結(jié)構(gòu)：輪廓法-術(shù)語、定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)（二維輪廓參數(shù)基準(zhǔn)）

GB/T 19600-2024產(chǎn)品幾何量技術(shù)規(guī)范(GPS) 表面結(jié)構(gòu) 區(qū)域法（等同采用ISO 25178）

VDI/VDE 2656-2019原子力顯微鏡計量規(guī)范（規(guī)定探針校準(zhǔn)與儀器性能驗證方法）

JIS B 0671-2:2020產(chǎn)品幾何規(guī)格(GPS)-表面紋理：區(qū)域法（日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)）

檢測儀器

多維閉環(huán)掃描AFM：采用三軸獨立干涉計量傳感器，XY平面精度±0.1nm，Z軸噪聲水平0.02nm RMS，實現(xiàn)大范圍高保真成像。

高速諧振模式AFM：輕敲模式下掃描速率＞30幀/秒，共振頻率300kHz，相位成像靈敏度0.1°，動態(tài)過程實時觀測。

環(huán)境控制型AFM：集成溫濕度控制器（溫度范圍-30~150℃，濕度5~95%RH），氣密腔室壓力控制10?3Pa~105Pa，模擬工況環(huán)境。

電化學(xué)原子力顯微鏡(EC-AFM)：三電極體系恒電位儀控制，電位范圍±10V，電流靈敏度1pA，原位監(jiān)測腐蝕/沉積過程。

納米壓痕模組：壓頭載荷范圍1μN~10mN，位移分辨率0.001nm，同步獲取力學(xué)性能與表面形貌數(shù)據(jù)。

低溫超真空AFM：工作溫度4.2K，真空度1×10?1?mbar，消除熱漂移與水膜干擾，實現(xiàn)原子級分辨成像。

多模式光電聯(lián)用系統(tǒng)：集成拉曼光譜（光譜范圍400~4000cm?1，空間分辨率100nm）與近場光學(xué)模塊，同步獲取化學(xué)組分信息。

大樣品臺納米坐標(biāo)機：最大承載5kg，移動范圍200×200×50mm，重復(fù)定位精度±50nm，適應(yīng)晶圓級檢測需求。

壓電響應(yīng)力顯微鏡(PFM)：交流電壓幅值0.1~20V，頻率1kHz~2MHz，鐵電/壓電材料疇結(jié)構(gòu)成像專用配置。

磁力顯微鏡(MFM)：配備CoCr涂層磁探針（矯頑力300Oe），lift模式高度30~200nm，磁場靈敏度5emu/cm3。

檢測報告作用用作

銷售報告：出具正規(guī)第三方檢測報告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測工程師和先進的測試設(shè)備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時間。

司法服務(wù)：協(xié)助相關(guān)部門檢測產(chǎn)品，進行科研實驗，為相關(guān)部門提供科學(xué)、公正、準(zhǔn)確的檢測數(shù)據(jù)。

大學(xué)論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標(biāo)：檢測周期短，同時所花費的費用較低。

準(zhǔn)確性較高;工業(yè)問題診斷：較短時間內(nèi)檢測出產(chǎn)品問題點，以達(dá)到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點，并結(jié)合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，選擇適當(dāng)?shù)臋z測項目和方法進行分析測試，或根據(jù)您的要求進行試驗分析。為了不斷改進我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測能力，并持續(xù)加強我們團隊的科研技術(shù)。同時，我們將積極跟進新的技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)，以最大程度地滿足您的需求和市場要求。