檢測項目

彎曲度、翹曲度、平面度、厚度偏差、表面粗糙度、局部曲率半徑、晶格畸變率、應力分布均勻性、熱膨脹系數匹配度、表面波紋度、邊緣塌陷量、中心凹陷量、晶向偏離角、表面缺陷密度、殘余應力值、彈性模量分布、硬度梯度、表面能分布、界面結合強度、熱導率各向異性系數、介電常數均勻性、透光率一致性、化學穩(wěn)定性指數、抗彎強度極限值、疲勞壽命預測值、腐蝕速率臨界點、原子層沉積均勻性指標、外延生長匹配度參數、納米壓痕硬度值分布統(tǒng)計量

檢測范圍

2英寸C面藍寶石襯底片、4英寸R面藍寶石晶圓片、6英寸A面拋光襯底片、圖案化藍寶石襯底(PSS)、異質外延生長用復合襯底片、氮化鎵外延專用襯底片、紫外LED芯片用透明襯底片、高功率激光二極管用熱沉襯底片、MEMS壓力傳感器用雙面拋光襯底片、射頻器件用高阻值襯底片、深紫外探測器用超薄襯底片、高溫傳感器用耐腐蝕襯底片、航天級抗輻射襯底片、醫(yī)療設備用生物兼容襯底片、柔性電子器件用納米級彎曲襯底片

檢測方法

激光干涉法：采用波長632.8nm氦氖激光源配合相移干涉技術，通過分析干涉條紋變形量計算三維形貌參數
白光輪廓掃描法：利用垂直掃描干涉原理獲取亞納米級表面起伏數據
接觸式輪廓儀：金剛石探針接觸測量法獲取線粗糙度及宏觀彎曲數據
X射線衍射法：通過(0006)晶面衍射峰半高寬測定晶格畸變程度
數字圖像相關技術：基于顯微圖像特征點位移場分析熱應力分布
納米壓痕法：采用Berkovich壓頭測定微區(qū)力學性能梯度分布
橢偏光譜法：通過偏振光相位變化反演薄膜應力狀態(tài)
紅外熱成像法：利用熱輻射差異識別殘余應力集中區(qū)域
原子力顯微鏡：納米級分辨率掃描表面波紋度及缺陷分布
拉曼光譜法：通過特征峰位移量計算局部應力值

檢測標準

GB/T31351-2014藍寶石單晶襯底片規(guī)范
SEMIMF534-0317半導體晶圓翹曲度測試方法
ISO14707:2015表面化學分析-輝光放電發(fā)射光譜法
ASTMF534-19碳化硅單晶片規(guī)范
JISH0601-2018硅晶片的彎曲度測試方法
IEC60749-27:2019半導體器件機械和環(huán)境試驗方法
GB/T34879-2017微機電系統(tǒng)(MEMS)技術晶圓級試驗方法
ISO13067:2020微束分析-電子背散射衍射晶體取向測量方法
SEMIM59-1109化合物半導體晶圓術語
DINEN623-3:2001高級工業(yè)陶瓷整體性能測試規(guī)范

檢測儀器

ZygoNewView9000白光干涉儀：配備100XMirau物鏡實現(xiàn)0.1nm垂直分辨率測量
KLA-TencorP-17表面輪廓儀：集成多探針系統(tǒng)完成跨尺度形貌表征
BrukerD8DiscoverXRD系統(tǒng)：配置四圓測角器實現(xiàn)晶體取向精確分析
Keysight5500原子力顯微鏡：采用非接觸模式測量納米級表面起伏
ShimadzuAIM-9000紅外顯微鏡：搭配焦平面陣列探測器進行快速應力成像
Instron5848微力試驗機：配置高溫環(huán)境箱開展熱機械性能測試
MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平臺：具備應力分析專用光學系統(tǒng)
OlympusLEXTOLS5000激光共聚焦顯微鏡：實現(xiàn)亞微米級三維形貌重構
BrukerContourGT-K光學輪廓儀：采用寬帶光源消除相位模糊問題
ThermoScientificPrismaEBSD系統(tǒng)：集成場發(fā)射槍完成晶體取向分布分析

檢測報告作用用作

銷售報告：出具正規(guī)第三方檢測報告讓客戶更加信賴自己的產品質量，讓自己的產品更具有說服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測工程師和先進的測試設備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時間。

司法服務：協(xié)助相關部門檢測產品，進行科研實驗，為相關部門提供科學、公正、準確的檢測數據。

大學論文：科研數據使用。

投標：檢測周期短，同時所花費的費用較低。

準確性較高;工業(yè)問題診斷：較短時間內檢測出產品問題點，以達到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學技術研究所承諾：我們將根據不同產品類型的特點，并結合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標準，選擇適當的檢測項目和方法進行分析測試，或根據您的要求進行試驗分析。為了不斷改進我們的工作，我們致力于提高產品質控分析、使用性能檢測能力，并持續(xù)加強我們團隊的科研技術。同時，我們將積極跟進新的技術和標準，以最大程度地滿足您的需求和市場要求。