檢測(cè)項(xiàng)目

內(nèi)量子效率、外量子效率、載流子濃度、發(fā)光波長(zhǎng)、半峰寬、光輸出功率、電壓-電流特性、結(jié)溫系數(shù)、輻射復(fù)合率、非輻射復(fù)合率、缺陷態(tài)密度、能帶偏移量、熱阻系數(shù)、光衰曲線、色坐標(biāo)穩(wěn)定性、電流擴(kuò)展均勻性、電極接觸電阻、反向漏電流、擊穿電壓閾值、極化效應(yīng)強(qiáng)度、應(yīng)力老化衰減率、熱循環(huán)穩(wěn)定性、波長(zhǎng)溫度漂移量、光子提取效率、界面態(tài)密度分布、載流子注入效率、多量子阱結(jié)構(gòu)完整性、外延層位錯(cuò)密度、表面粗糙度參數(shù)、封裝透光率損耗

檢測(cè)范圍

藍(lán)光LED芯片、紫外LED外延片、綠光MicroLED陣列、高亮度COB模組、倒裝芯片結(jié)構(gòu)LED、垂直結(jié)構(gòu)GaN基器件、柔性可彎曲LED器件、多量子阱外延片、透明導(dǎo)電襯底器件、圖形化藍(lán)寶石襯底芯片、納米線結(jié)構(gòu)LED晶圓、諧振腔增強(qiáng)型器件、分布式布拉格反射器封裝模塊、共晶焊接封裝單元、陶瓷基板大功率模組、硅基氮化鎵異質(zhì)結(jié)器件、半極性面生長(zhǎng)LED晶圓、三維堆疊集成器件、透明電極薄膜樣品、金屬有機(jī)框架封裝組件、量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換白光模組、高壓交流驅(qū)動(dòng)芯片組、微型化倒裝焊器件、超薄型柔性顯示面板用LED晶粒

檢測(cè)方法

電致發(fā)光法（EL）：通過(guò)正向偏置電壓激發(fā)器件發(fā)光，結(jié)合積分球系統(tǒng)測(cè)量光通量輸出與輸入電功率比值計(jì)算外量子效率。
時(shí)間分辨熒光光譜法（TRPL）：采用皮秒激光脈沖激發(fā)樣品后監(jiān)測(cè)熒光衰減過(guò)程，推算非輻射復(fù)合中心濃度與載流子壽命。
變溫I-V特性測(cè)試：在-50℃至150℃溫區(qū)內(nèi)測(cè)量電流-電壓曲線變化趨勢(shì)，建立結(jié)溫與效率衰減的數(shù)學(xué)模型。
陰極熒光光譜（CL）：利用電子束激發(fā)樣品表面微區(qū)發(fā)光特性分析缺陷分布對(duì)量子效率的影響。
光泵浦探測(cè)技術(shù)：通過(guò)雙光束系統(tǒng)分離激發(fā)與探測(cè)過(guò)程實(shí)現(xiàn)無(wú)接觸式內(nèi)量子效率精確測(cè)量。
三維有限元熱仿真：結(jié)合紅外熱成像數(shù)據(jù)建立器件熱分布模型評(píng)估散熱結(jié)構(gòu)對(duì)效率的影響。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

IEC60747-5-5:2018半導(dǎo)體器件分立器件第5-5部分：光電子器件發(fā)光二極管測(cè)試方法
JESD51-51:2012固態(tài)照明產(chǎn)品熱特性測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)
GB/T34075-2017普通照明用發(fā)光二極管性能要求
CIE127:2007LED光度測(cè)量推薦方法
ANSI/IESLM-85-14LED器件光電測(cè)量方法
ISO/IEC17025:2017檢測(cè)和校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室能力通用要求
SJ/T11394-2019半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法
ASTME2590-09LED陣列空間輻射強(qiáng)度分布測(cè)試規(guī)程
JISC8156:2018LED模塊光電性能試驗(yàn)方法
EN62031:2018LED模組安全規(guī)范及性能測(cè)試要求

檢測(cè)儀器

積分球光譜輻射計(jì)：配置水冷恒溫底座的高精度系統(tǒng)（直徑1m以上），實(shí)現(xiàn)全空間光通量采集與絕對(duì)輻射校準(zhǔn)。
低溫恒溫探針臺(tái)：配備真空腔體和液氮循環(huán)系統(tǒng)（4K-500K），可進(jìn)行極端溫度條件下的電致發(fā)光特性測(cè)試。
飛秒時(shí)間分辨光譜儀：采用條紋相機(jī)技術(shù)實(shí)現(xiàn)10ps級(jí)時(shí)間分辨率的光致發(fā)光動(dòng)力學(xué)分析。
微區(qū)陰極熒光系統(tǒng)：集成場(chǎng)發(fā)射電子槍與單色儀（空間分辨率<50nm），用于納米級(jí)缺陷定位分析。
三維熱成像儀：配備長(zhǎng)波紅外鏡頭（熱靈敏度<20mK），實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片結(jié)溫分布與熱擴(kuò)散路徑。
原子力顯微鏡導(dǎo)電探針模塊：實(shí)現(xiàn)表面電勢(shì)分布與載流子輸運(yùn)特性的納米尺度表征。

檢測(cè)報(bào)告作用用作

銷售報(bào)告：出具正規(guī)第三方檢測(cè)報(bào)告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說(shuō)服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測(cè)工程師和先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時(shí)間。

司法服務(wù)：協(xié)助相關(guān)部門檢測(cè)產(chǎn)品，進(jìn)行科研實(shí)驗(yàn)，為相關(guān)部門提供科學(xué)、公正、準(zhǔn)確的檢測(cè)數(shù)據(jù)。

大學(xué)論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標(biāo)：檢測(cè)周期短，同時(shí)所花費(fèi)的費(fèi)用較低。

準(zhǔn)確性較高;工業(yè)問(wèn)題診斷：較短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)出產(chǎn)品問(wèn)題點(diǎn)，以達(dá)到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點(diǎn)，并結(jié)合不同行業(yè)和國(guó)家的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，選擇適當(dāng)?shù)臋z測(cè)項(xiàng)目和方法進(jìn)行分析測(cè)試，或根據(jù)您的要求進(jìn)行試驗(yàn)分析。為了不斷改進(jìn)我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測(cè)能力，并持續(xù)加強(qiáng)我們團(tuán)隊(duì)的科研技術(shù)。同時(shí)，我們將積極跟進(jìn)新的技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)，以最大程度地滿足您的需求和市場(chǎng)要求。