檢測項(xiàng)目

全局翹曲度、局部翹曲度、厚度偏差率、表面應(yīng)力分布、曲率半徑分布、平面度偏差、Z向位移量、熱膨脹系數(shù)匹配度、殘余應(yīng)力梯度、晶格畸變指數(shù)、邊緣塌陷量、中心凹陷深度、各向異性系數(shù)、表面波紋度（Waviness）、納米級起伏（Roughness）、彎曲模態(tài)分析、應(yīng)力釋放軌跡追蹤、動態(tài)變形量監(jiān)測、溫度梯度響應(yīng)值、濕度敏感性系數(shù)、機(jī)械夾持變形補(bǔ)償值、真空吸附均勻性指數(shù)、薄膜沉積匹配度評估、光刻對準(zhǔn)偏移預(yù)測值、切割工藝適配性參數(shù)、封裝熱應(yīng)力模擬系數(shù)、材料彈性模量驗(yàn)證值、晶向偏離角補(bǔ)償量、表面能分布圖譜、界面結(jié)合強(qiáng)度預(yù)測模型。

檢測范圍

300mm單晶硅拋光片、200mm重?fù)缴橐r底片、150mmSOI晶圓、8英寸碳化硅外延片、12英寸氮化鎵異質(zhì)集成襯底、6英寸藍(lán)寶石圖形化基板、4英寸鍺紅外窗口片、5英寸砷化鎵射頻芯片基板、異質(zhì)結(jié)太陽能電池硅片、MEMS壓力傳感器薄片、CMOS圖像傳感器晶圓、功率器件用厚膜基板、3DNAND存儲堆疊結(jié)構(gòu)測試片、FinFET鰭形結(jié)構(gòu)驗(yàn)證片、TSV硅通孔中介層樣品、柔性顯示用超薄玻璃基板（UTG）、量子點(diǎn)芯片載體基片、光子集成電路（PIC）波導(dǎo)層基板、MEMS麥克風(fēng)振動膜結(jié)構(gòu)測試片、LED倒裝芯片載板樣品。

檢測方法

激光干涉全場測量法：采用波長632.8nm氦氖激光源構(gòu)建邁克爾遜干涉系統(tǒng)，通過相位偏移算法解析干涉條紋位移量；白光垂直掃描干涉術(shù)：利用寬帶光源的相干長度特性實(shí)現(xiàn)納米級縱向分辨率的三維形貌重建；數(shù)字圖像相關(guān)法（DIC）：基于高速CMOS相機(jī)采集表面散斑圖像序列進(jìn)行全場應(yīng)變場分析；莫爾條紋投影法：通過精密光柵投影獲取表面等高線分布數(shù)據(jù)；電容式微距傳感陣列：采用128通道電容探頭矩陣實(shí)現(xiàn)非接觸式多點(diǎn)同步測量；X射線衍射應(yīng)力分析：結(jié)合布拉格角偏移量計算晶格畸變引起的殘余應(yīng)力分布；紅外熱成像動態(tài)監(jiān)測：通過熱輻射強(qiáng)度變化反演溫度梯度導(dǎo)致的形變過程；原子力顯微鏡（AFM）微區(qū)驗(yàn)證：對關(guān)鍵區(qū)域進(jìn)行10μm10μm范圍的納米級形貌復(fù)核；有限元仿真對比驗(yàn)證：建立材料本構(gòu)模型進(jìn)行實(shí)測數(shù)據(jù)與理論變形的相關(guān)性分析；聲發(fā)射實(shí)時監(jiān)測系統(tǒng)：捕捉硅片受載過程中的微裂紋擴(kuò)展特征頻率。

檢測標(biāo)準(zhǔn)

SEMIMF657-0718《硅晶圓翹曲度和總厚度變化測試方法》、ASTMF534-19《半導(dǎo)體晶圓翹曲度標(biāo)準(zhǔn)測試規(guī)程》、JESD22-B112B《電子器件用基板機(jī)械變形特性評估》、GB/T32281-2015《半導(dǎo)體材料平整度測試方法》、IEC60749-39:2021《半導(dǎo)體器件機(jī)械和環(huán)境試驗(yàn)方法第39部分：晶圓翹曲測量》、ISO13067:2020《微束分析電子背散射衍射晶體取向測量》、DINEN60749-39:2017《半導(dǎo)體器件機(jī)械和環(huán)境試驗(yàn)方法-晶圓翹曲》、BSEN623-3:2001《高級工業(yè)陶瓷單片陶瓷第3部分：表面和尺寸特性》、MIL-STD-883KMETHOD2031.1《微電子器件機(jī)械特性測試》、T/CSM12-2020《第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底片幾何參數(shù)測量規(guī)范》。

檢測儀器

三維光學(xué)輪廓儀（ZygoNewView9000）：配備100XMirau干涉物鏡和高速壓電陶瓷掃描器，Z軸分辨率達(dá)0.1nm；激光多普勒振動計（PolytecMSA-600）：采用頻移干涉技術(shù)實(shí)現(xiàn)0.01pm/√Hz位移靈敏度；全自動晶圓幾何參數(shù)測量系統(tǒng)（KLASurfscanSP3）：集成多波長橢偏儀與高精度氣浮平臺；X射線應(yīng)力分析儀（ProtoLXRD）：配備Cr-Kα輻射源和二維PSD探測器；紅外熱像儀（FLIRX8500sc）：640512像素InSb探測器支持100kHz采樣率；納米壓痕儀（HysitronTIPremier）：最大載荷30mN配合原位SEM觀察功能；數(shù)字散斑干涉系統(tǒng)（DantecDynamicsQ-450）：雙脈沖激光光源支持μs級動態(tài)變形捕捉；原子力顯微鏡（BrukerDimensionIcon）：峰值力輕敲模式實(shí)現(xiàn)<1nN接觸力測量；晶圓級真空吸附平臺（SUSSMicroTecCP20）：平面度<0.5μm的靜電卡盤配合溫控系統(tǒng)；多物理場耦合測試艙（EspecPL-3KPH）：集成振動臺與溫濕度控制模塊的環(huán)境模擬裝置。

檢測報告作用用作

銷售報告：出具正規(guī)第三方檢測報告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測工程師和先進(jìn)的測試設(shè)備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時間。

司法服務(wù)：協(xié)助相關(guān)部門檢測產(chǎn)品，進(jìn)行科研實(shí)驗(yàn)，為相關(guān)部門提供科學(xué)、公正、準(zhǔn)確的檢測數(shù)據(jù)。

大學(xué)論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標(biāo)：檢測周期短，同時所花費(fèi)的費(fèi)用較低。

準(zhǔn)確性較高;工業(yè)問題診斷：較短時間內(nèi)檢測出產(chǎn)品問題點(diǎn)，以達(dá)到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點(diǎn)，并結(jié)合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，選擇適當(dāng)?shù)臋z測項(xiàng)目和方法進(jìn)行分析測試，或根據(jù)您的要求進(jìn)行試驗(yàn)分析。為了不斷改進(jìn)我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測能力，并持續(xù)加強(qiáng)我們團(tuán)隊(duì)的科研技術(shù)。同時，我們將積極跟進(jìn)新的技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)，以最大程度地滿足您的需求和市場要求。