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硅單晶電阻率測定方法檢測

2025-05-27 09:55:50
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摘要:檢測項目電阻率、載流子濃度、霍爾系數(shù)、遷移率、導(dǎo)電類型、溫度系數(shù)、各向異性系數(shù)、表面粗糙度影響值、晶體缺陷密度、氧含量干擾值、碳含量干擾值、摻雜均勻性、軸向分布梯度、徑向分布梯度、熱穩(wěn)定性參數(shù)、光照響應(yīng)特性、磁場干擾系數(shù)、接觸電阻誤差值、厚度修正因子、幾何尺寸效應(yīng)值、電極間距校準(zhǔn)值、電流線性度偏差、電壓降補償值、環(huán)境溫濕度修正值、高頻特性衰減率、應(yīng)力敏感系數(shù)、退火處理影響值、腐蝕后特性變化率、拋光面反射率關(guān)聯(lián)值檢測范圍直拉法生長n型硅單晶錠、區(qū)熔法p型硅單晶棒、中子嬗變摻雜硅片、(100)晶向拋光片、(1

因業(yè)務(wù)調(diào)整,部分個人測試暫不接受委托,望見諒。

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