檢測(cè)項(xiàng)目

表面粗糙度檢測(cè)：評(píng)估材料表面的微觀不平整度；具體檢測(cè)參數(shù)包括Ra值測(cè)量范圍0.1nm至100nm，Rz值精度0.5nm。

晶體缺陷分析：識(shí)別晶格結(jié)構(gòu)中的位錯(cuò)或空位；具體檢測(cè)參數(shù)包括缺陷尺寸下限1nm，密度測(cè)量精度10^12/cm。

納米級(jí)孔隙探測(cè)：檢測(cè)材料內(nèi)部的微小孔洞；具體檢測(cè)參數(shù)包括孔徑測(cè)量范圍0.5nm至100nm，孔隙率精度0.5%。

裂紋深度測(cè)量：量化表面裂紋的微觀擴(kuò)展；具體檢測(cè)參數(shù)包括裂紋深度分辨率0.2nm，長(zhǎng)度測(cè)量范圍1nm至1μm。

沉積層均勻性評(píng)估：分析薄膜或涂層的納米級(jí)厚度變化；具體檢測(cè)參數(shù)包括厚度均勻性公差2nm，覆蓋面積測(cè)量精度99.5%。

粒子污染分析：探測(cè)外來(lái)雜質(zhì)顆粒；具體檢測(cè)參數(shù)包括粒子尺寸下限0.3nm，密度測(cè)量范圍10^3至10^{15}/m。

界面結(jié)合強(qiáng)度測(cè)試：評(píng)估多層材料的粘結(jié)質(zhì)量；具體檢測(cè)參數(shù)包括結(jié)合力分辨率0.1nN，失效閾值測(cè)量精度5%。

應(yīng)力分布映射：測(cè)量材料內(nèi)部的微應(yīng)力；具體檢測(cè)參數(shù)包括應(yīng)力范圍100MPa，空間分辨率2nm。

缺陷形態(tài)分類：區(qū)分點(diǎn)缺陷、線缺陷或面缺陷；具體檢測(cè)參數(shù)包括形態(tài)識(shí)別準(zhǔn)確率98%，三維重建誤差0.5nm。

納米結(jié)構(gòu)尺寸校準(zhǔn)：驗(yàn)證納米器件的幾何尺寸；具體檢測(cè)參數(shù)包括寬度測(cè)量精度0.3nm，高度分辨率0.2nm。

成分偏析探測(cè)：識(shí)別材料元素的局部富集；具體檢測(cè)參數(shù)包括元素濃度精度0.1at%，空間分布分辨率5nm。

相變區(qū)域分析：檢測(cè)微觀相界的缺陷；具體檢測(cè)參數(shù)包括相界寬度測(cè)量范圍0.8nm至50nm，過(guò)渡區(qū)識(shí)別閾值2nm。

檢測(cè)范圍

半導(dǎo)體晶圓：用于識(shí)別硅片表面的納米級(jí)瑕疵和晶格缺陷。

納米材料涂層：評(píng)估功能性涂層的均勻性和微小孔隙。

微電子器件：檢測(cè)集成電路中的導(dǎo)線斷裂和接觸點(diǎn)缺陷。

生物醫(yī)學(xué)植入物：分析人工關(guān)節(jié)或支架的表面裂紋和生物相容性缺陷。

光學(xué)鏡片：識(shí)別透鏡或鏡面涂層的納米級(jí)劃痕和氣泡。

復(fù)合纖維材料：探測(cè)碳纖維或納米纖維束的內(nèi)部空隙和界面結(jié)合問(wèn)題。

薄膜太陽(yáng)能電池：評(píng)估光伏層中的沉積不均勻性和應(yīng)力裂紋。

金屬合金部件：檢測(cè)發(fā)動(dòng)機(jī)葉片或齒輪的表面磨損和微觀疲勞缺陷。

陶瓷絕緣體：分析高溫陶瓷的晶界缺陷和孔隙分布。

聚合物納米復(fù)合材料：識(shí)別塑料基體中的納米填料分散不均和界面缺陷。

量子點(diǎn)器件：驗(yàn)證量子結(jié)構(gòu)中的尺寸偏差和污染顆粒。

磁性存儲(chǔ)介質(zhì)：檢測(cè)硬盤涂層中的納米級(jí)磁疇缺陷和粗糙度。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

ASTME112-13：金屬材料顯微組織粒度的評(píng)級(jí)方法。

ISO643:2019：鋼的顯微結(jié)構(gòu)定量分析標(biāo)準(zhǔn)。

GB/T6394-2017：金屬顯微組織檢驗(yàn)的基本規(guī)程。

ASTME766-14：表面粗糙度測(cè)量的校準(zhǔn)規(guī)范。

ISO25178-2:2021：表面紋理參數(shù)的幾何產(chǎn)品規(guī)格。

GB/T13298-2015：金屬材料顯微檢驗(yàn)方法。

ASTME384-22：材料顯微硬度的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。

ISO14606:2015：表面化學(xué)分析的深度剖析方法。

GB/T18851.1-2012：無(wú)損檢測(cè)滲透檢測(cè)方法。

ASTMF312-08：薄膜厚度的測(cè)量指南。

檢測(cè)儀器

掃描電子顯微鏡：提供高分辨率表面成像；在本檢測(cè)中用于直接觀察納米級(jí)缺陷形態(tài)和尺寸。

原子力顯微鏡：測(cè)量表面形貌和力學(xué)性質(zhì)；在本檢測(cè)中用于納米級(jí)粗糙度分析和缺陷深度映射。

透射電子顯微鏡：分析內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)；在本檢測(cè)中用于晶格缺陷識(shí)別和元素成分探測(cè)。

X射線衍射儀：測(cè)定材料晶體結(jié)構(gòu)和應(yīng)力；在本檢測(cè)中用于缺陷引起的晶格應(yīng)變量化。

聚焦離子束系統(tǒng)：進(jìn)行微區(qū)切割和成像；在本檢測(cè)中用于制備樣品和探測(cè)內(nèi)部孔隙。

拉曼光譜儀：檢測(cè)材料分子振動(dòng)；在本檢測(cè)中用于應(yīng)力分布和缺陷引起的化學(xué)變化分析。

檢測(cè)報(bào)告作用用作

銷售報(bào)告：出具正規(guī)第三方檢測(cè)報(bào)告讓客戶更加信賴自己的產(chǎn)品質(zhì)量，讓自己的產(chǎn)品更具有說(shuō)服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測(cè)工程師和先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時(shí)間。

司法服務(wù)：協(xié)助相關(guān)部門檢測(cè)產(chǎn)品，進(jìn)行科研實(shí)驗(yàn)，為相關(guān)部門提供科學(xué)、公正、準(zhǔn)確的檢測(cè)數(shù)據(jù)。

大學(xué)論文：科研數(shù)據(jù)使用。

投標(biāo)：檢測(cè)周期短，同時(shí)所花費(fèi)的費(fèi)用較低。

準(zhǔn)確性較高;工業(yè)問(wèn)題診斷：較短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)出產(chǎn)品問(wèn)題點(diǎn)，以達(dá)到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所承諾：我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點(diǎn)，并結(jié)合不同行業(yè)和國(guó)家的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，選擇適當(dāng)?shù)臋z測(cè)項(xiàng)目和方法進(jìn)行分析測(cè)試，或根據(jù)您的要求進(jìn)行試驗(yàn)分析。為了不斷改進(jìn)我們的工作，我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測(cè)能力，并持續(xù)加強(qiáng)我們團(tuán)隊(duì)的科研技術(shù)。同時(shí)，我們將積極跟進(jìn)新的技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)，以最大程度地滿足您的需求和市場(chǎng)要求。