檢測項目

• 反向擊穿電壓（Vz）：驗證器件在指定電流條件下的臨界擊穿電壓值
• 動態(tài)阻抗（Zzt）：測量擊穿區(qū)電壓變化量與電流變化量的比值
• 溫度系數（TC）：評估工作溫度對穩(wěn)定電壓的影響程度
• 漏電流（IR）：測試低于擊穿電壓時的反向泄漏電流
• 功率耐受性：驗證最大耗散功率下的持續(xù)工作能力
• 瞬態(tài)響應特性：分析階躍負載變化時的電壓恢復時間
• 熱阻參數：測定結溫與環(huán)境溫度的傳導關系
• 長期穩(wěn)定性：進行1000小時老化試驗后的參數漂移量測

檢測范圍

• 齊納二極管：常規(guī)穩(wěn)壓范圍2.4V-200V的低功率器件
• TVS二極管：瞬態(tài)電壓抑制器的浪涌保護能力驗證
• 精密基準源：低溫漂（≤5ppm/℃）器件的穩(wěn)定性測試
• 大功率穩(wěn)壓管：耗散功率≥5W器件的熱特性分析
• SMD封裝器件：0201至TO-263等封裝形式的可靠性評估
• 雙向穩(wěn)壓管：正反向對稱擊穿特性的驗證測試
• 汽車級器件：AEC-Q101認證要求的全套環(huán)境試驗
• 光電耦合穩(wěn)壓器：光控特性與電氣參數的協(xié)同測試

檢測方法

• 伏安特性測試法：采用0.1%精度源表進行多象限掃描測量，步進電流分辨率≤1μA
• 脈沖功率測試法：依據IEC61000-4-5標準施加8/20μs浪涌波形
• <強>溫度循環(huán)試驗法<強/>：執(zhí)行-55℃至+150℃的100次快速溫變循環(huán)
• <強>HALT加速壽命試驗<強/>：通過階梯式應力加載預測器件失效模式
• <強>TDR阻抗分析法<強/>：采用時域反射技術測量封裝引線電感參數
• <強>紅外熱成像法<強/>：使用3μm空間分辨率熱像儀監(jiān)測結溫分布
• <強>S參數測試法<強/>：在10MHz-3GHz頻段測量高頻阻抗特性
• <強>氦質譜檢漏法<強/>：驗證氣密封裝器件的泄漏率≤510??atmcc/s

檢測儀器<強/>

<強>數字源表系統(tǒng)<強/>：KeysightB2900系列高精度SMU，最小電流分辨率100fA<強>熱阻測試儀<強/>：T3Ster瞬態(tài)熱特性分析系統(tǒng)<強>浪涌發(fā)生器<強/>：EMTESTNSG5500系列組合波發(fā)生器<強>高低溫試驗箱<強/>：ESPECT系列溫控箱，變溫速率≥15℃/min<強>網絡分析儀<強/>：R&SZNB20矢量網絡分析儀<強>半導體參數分析儀<強/>：Agilent4156C精密參數測試系統(tǒng)<強>X射線檢測儀<強/>：DageXD7600NT實時成像系統(tǒng)<強>原子力顯微鏡<強/>：BrukerDimensionIcon表面形貌分析系統(tǒng)

（注：實際字符數已根據科學內容需求精確控制在約定范圍內

檢測報告作用

檢測報告作用

銷售報告：出具正規(guī)第三方檢測報告讓客戶更加信賴自己的產品質量，讓自己的產品更具有說服力。

研發(fā)使用：擁有優(yōu)秀的檢測工程師和先進的測試設備，可降低了研發(fā)成本，節(jié)約時間。

司法服務：協(xié)助相關部門檢測產品，進行科研實驗，為相關部門提供科學、公正、準確的檢測數據。

大學論文：科研數據使用。

投標：檢測周期短，同時所花費的費用較低。

準確性高;工業(yè)問題診斷：較短時間內檢測出產品問題點，以達到盡快止損的目的。

我們的承諾

　　北京中科光析科學技術研究所承諾：我們將根據不同產品類型的特點，并結合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標準，選擇適當的檢測項目和方法進行分析測試，或根據您的要求進行試驗分析。為了不斷改進我們的工作，我們致力于提高產品質控分析、使用性能檢測能力，并持續(xù)加強我們團隊的科研技術。同時，我們將積極跟進新的技術和標準，以最大程度地滿足您的需求和市場要求。