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GB/T 26068-2018 硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測試 非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法

2019-11-30
GB/T 26068-2018,硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測試,非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法
英文標(biāo)準(zhǔn)名稱：Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method

注：僅作為檢測參考。工程師會根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點、不同行業(yè)和不同國家的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)以及客戶的需求，選取相應(yīng)的檢測項目和方法進行分析測試，詳情可咨詢在線工程師。

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所擁有完善的基礎(chǔ)實驗平臺、先進的實驗設(shè)備、強大的技術(shù)團隊、標(biāo)準(zhǔn)的操作流程，可依據(jù)相應(yīng)檢測標(biāo)準(zhǔn)為各企業(yè)提供動物模型試驗、環(huán)境模擬試驗、基本指標(biāo)參數(shù)測試、 可靠性能試驗等各種項目的分析測試服務(wù)，亦可根據(jù)各種檢測需求進行非標(biāo)測試。檢測費用：樣品初檢后結(jié)合客戶檢測需求以及實驗復(fù)雜程度進行報價

　　標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 26068-2018

　　中文標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測試 非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法

　　英文標(biāo)準(zhǔn)名稱：Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method

　　中國標(biāo)準(zhǔn)分類號(CCS)：H21

　　實施日期：2019-11-01

　　發(fā)布單位：國家市場監(jiān)督管理總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

　　如有檢測需求可以撥打咨詢電話或點擊左側(cè)在線咨詢，歡迎您的來電!

       

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