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小鼠淋巴瘤細(xì)胞(TK)基因突變?cè)囼?yàn)
細(xì)胞劃痕實(shí)驗(yàn)
酶聯(lián)免疫吸附試驗(yàn)
GI測(cè)試
哺乳動(dòng)物細(xì)胞基因突變?cè)囼?yàn)
抗壞血酸測(cè)定
總皂苷
香附含量測(cè)定
玉米黃質(zhì)檢測(cè)
維生素化驗(yàn)
植物遺傳轉(zhuǎn)化實(shí)驗(yàn)
脫落酸檢測(cè)
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項(xiàng)目咨詢
北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所可依據(jù)相應(yīng)多晶硅檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)通過質(zhì)譜分析、四探針法、霍爾效應(yīng)測(cè)量等各種方法進(jìn)行分析測(cè)試服務(wù),亦可根據(jù)客戶需求設(shè)計(jì)方案,為客戶提供非標(biāo)檢測(cè)服務(wù)。
多晶硅檢測(cè)項(xiàng)目一般包括:
- 組分分析:硅含量、雜質(zhì)分析、摻雜元素分析等等。
- 結(jié)構(gòu)表征:晶格結(jié)構(gòu)分析、晶體缺陷分析、晶體形貌觀察等。
- 電學(xué)性能:電阻率、載流子濃度、遷移率測(cè)量等。
- 光學(xué)特性:折射率測(cè)量、吸收譜分析、光致發(fā)光測(cè)定等。
- 熱性能:熱膨脹系數(shù)、熱傳導(dǎo)性能測(cè)試等。
- 機(jī)械性能:硬度、彎曲強(qiáng)度測(cè)量、斷裂韌性測(cè)試等。
- 表面特性:表面粗糙度評(píng)估、界面分析、涂層檢測(cè)等。
- 導(dǎo)電性能:電導(dǎo)率測(cè)量、電阻、接觸電阻測(cè)試等。
多晶硅晶圓、多晶硅片、多晶硅塊、多晶硅粉末、多晶硅顆粒、多晶硅薄膜、多晶硅材料、多晶硅器件等。
- 多晶硅片:太陽能電池用、半導(dǎo)體材料用、光伏材料用多晶硅等。
- 多晶硅粉末:用于半導(dǎo)體材料、太陽能電池制造等領(lǐng)域的多晶硅粉末
- 多晶硅塊:用于硅片生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的多晶硅塊
- 多晶硅棒:太陽能電池硅棒、半導(dǎo)體加工用多晶硅棒等。
多晶硅檢測(cè)方法及相關(guān)儀器:
- X射線衍射法(XRD):用于晶體結(jié)構(gòu)分析和雜質(zhì)探測(cè)。
- 光致發(fā)光光譜法(PL):通過激發(fā)樣品的光致發(fā)光來研究其光電性能。
- 電學(xué)測(cè)試方法:包括四探針法、霍爾效應(yīng)測(cè)量等,用于電學(xué)性能參數(shù)的測(cè)定。
- 熱分析方法:如差熱分析(DSC)、熱膨脹儀等,用于熱性能的測(cè)定。
- 光學(xué)測(cè)試方法:如紫外可見光譜儀、自動(dòng)透射電鏡等,用于光學(xué)特性的測(cè)定。
- 機(jī)械性能測(cè)試方法:如洛氏硬度計(jì)、萬能試驗(yàn)機(jī)等,用于機(jī)械性能的測(cè)量。
- 表面分析方法:如原子力顯微鏡(AFM)、掃描電子顯微鏡(SEM)等,用于表面特性的觀察和定量分析。
- 電導(dǎo)率測(cè)量方法:包括四探針法、兩電極法等,用于導(dǎo)電性能的測(cè)定。
工程師會(huì)根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點(diǎn)、不同行業(yè)和不同國家的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)以及客戶的需求,選取相應(yīng)的檢測(cè)項(xiàng)目和方法進(jìn)行多晶硅檢測(cè)。
GB/T 2881-2014 工業(yè)硅
GB/T 12963-2022 電子級(jí)多晶硅
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光譜法測(cè)定多晶硅表面金屬污染物
GB/T 24582-2023 多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量測(cè)定 酸浸取-電感耦合等離子體質(zhì)譜法
GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化學(xué)分析 輝光放電質(zhì)譜法
GB/T 25074-2017 太陽能級(jí)多晶硅
GB/T 29057-2023 用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)程
GB/T 28654-2018 工業(yè)三氯氫硅
GB/T 29055-2019 太陽能電池用多晶硅片
GB/T 29054-2019 太陽能電池用鑄造多晶硅塊
GB/T 24582-2009 酸浸取 電感耦合等離子質(zhì)譜儀測(cè)定多晶硅表面金屬雜質(zhì)
GB/T 35309-2017 用區(qū)熔法和光譜分析法評(píng)價(jià)顆粒狀多晶硅的規(guī)程
GB/T 37049-2018 電子級(jí)多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測(cè)定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法
GB/T 37051-2018 太陽能級(jí)多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測(cè)定方法
GB/T 40279-2021 硅片表面薄膜厚度的測(cè)試 光學(xué)反射法
GB/T 40561-2021 光伏硅材料 氧含量的測(cè)定 脈沖加熱惰性氣體熔融紅外吸收法
GB/T 38976-2020 硅材料中氧含量的測(cè)試 惰性氣體熔融紅外法
北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所承諾:我們將根據(jù)不同產(chǎn)品類型的特點(diǎn),并結(jié)合不同行業(yè)和國家的法規(guī)標(biāo)準(zhǔn),選擇適當(dāng)?shù)臋z測(cè)項(xiàng)目和方法進(jìn)行分析測(cè)試,或根據(jù)您的要求進(jìn)行試驗(yàn)分析。為了不斷改進(jìn)我們的工作,我們致力于提高產(chǎn)品質(zhì)控分析、使用性能檢測(cè)能力,并持續(xù)加強(qiáng)我們團(tuán)隊(duì)的科研技術(shù)。同時(shí),我們將積極跟進(jìn)新的技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn),以最大程度地滿足您的需求和市場(chǎng)要求。
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